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刻蝕機 ET12-XS2E2S1A

刻蝕機 ET12-XS2E2S1A

產(chǎn)品特點 1.利用位置、速度可控的擺臂噴灑化學液，可以有效的提高刻蝕均勻性；
2.分層式反應腔體設計，可以在同一腔體中噴灑多種化學液，并能有效回收，節(jié)約化液；
3.疊層控制，占地面積小，最多可配置4個刻蝕單元。

產(chǎn)品應用

應用范圍：

化合物半導體、功率器件、MEMS、先進封裝、射頻集成電路。


產(chǎn)品參數(shù)

片盒數(shù)量
2CS&2LP
配置4 Etch unit
wafer 類型圓片
wafer 尺寸（mm）50-300
產(chǎn)能（WPH）90
化學藥液H2O2、強酸堿
襯底材料Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4
適用工藝Wet Etch
干燥模式Spin Dry+N2 Dry


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